제목 :신소재 ‘스마트 출입문’으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다

출처 :동아사이언스

링크 :https://www.dongascience.com/ko/news/76945

요약 :낸드플래시 메모리라는 게 있다. 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 ‘비휘발성’ 저장매체로, 수직으로 쌓아 올릴 수 있어 대용량 데이터를 저장할 때 주로 쓴다. 하지만 속도가 느리다는 단점이 있었는데, 작년 이를 해결하는 기술이 나왔다. 이 기술은 붕소 산질화물(BON)을 이용하는데, 이를 통해 데이터 삭제 속도를 2300% 올렸다고 한다. 붕소 산질화물(BON)에는 전하의 종류에 따라 통과 장벽의 높이가 달라지는 독특한 성질이 있어 그를 이용한 것인데, 이로 속도뿐만 아니라 내구성도 좋아졌다고 한다.

내 생각 : 전에 휘발성-비휘발성 메모리에 대해 들은 적 있는데 알아보니 비휘발성은 종이시절부터 내려온 근본있는 저장장치지만 휘발성은 20세기부터 나온 종류였다. 보통 비휘발성 메모리는 보조로, 휘발성은 주기억장치로 쓴다.

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